引（yǐn）線框架化學蝕刻（kè）法

      引線框架是半導體封裝的基（jī）礎材料，借助於鍵合材料（liào）（金絲、銅絲（sī）、鋁絲）實現芯片內（nèi）部電路引出端與外引（yǐn）線電氣的連接，形成電氣回路的關鍵結構（gòu）件，起到和外部導線連接（jiē）的橋梁作用（yòng）。

      引線框架化學蝕刻法（fǎ）：

      主要采用化學溶（róng）液從金屬帶上麵蝕刻出引線框架的圖形，具體的蝕刻步驟分（fèn）為：裁料（liào）、清洗、烘幹、噴油、曝光、顯影、蝕刻、退墨、檢測。

      引線框架蝕刻加工的特點（diǎn）是生產周期短、精度高、表麵（miàn）光滑無（wú）毛刺、加工出來的引（yǐn）線框架品質較高。